Uzlādējiet 10 minūtes, nobrauciet 400 kilometrus, samaziniet enerģijas patēriņu par 50 procentiem! Šīs nozares mērogs var sasniegt simtiem miljardu

Trešās paaudzes pusvadītāju materiāli, ko pārstāv silīcija karbīds, tiek plaši izmantoti digitālās ekonomikas jomās, piemēram, 5G bāzes stacijās un jaunos enerģijas transportlīdzekļos.

Pēdējo desmit gadu laikā CETC pārstāvētie uzņēmumi ir pabeiguši sistemātisku materiālu, iekārtu, mikroshēmu, ierīču un lietojumprogrammu izkārtojumu, kas ir veicinājis strauju manas valsts trešās paaudzes pusvadītāju nozares attīstību.

Kodolenerģijas "kodola" tehnoloģijai beidzas paātrinājums

Šajā Ķīnas 55. Elektroenerģijas pētniecības institūta izstāžu zālē Nanjingā, Dzjansu štatā, ir dažādas silīcija karbīda ierīču specifikācijas. Tie ir lietoti partijās jaunām enerģijas transportlīdzekļu uzlādes ierīcēm. Ar tiem tiks ievērojami uzlabots jauno enerģijas transportlīdzekļu uzlādes ātrums un transportlīdzekļa veiktspēja.

Ķīnas elektronikas tehnoloģiju grupas galvenais eksperts Bai Songs sacīja:

Ja jauns enerģijas transportlīdzeklis izmanto tradicionālās pirmās paaudzes pusvadītāju ierīces, tā uzlāde aizņem vairāk nekā pusstundu, bet pēc trešās paaudzes pusvadītāju silīcija karbīda ierīces izmantošanas 400 kilometrus var nobraukt 10 minūtēs.

Piemēru minēja arī pasaulē vadošā silīcija karbīda materiāla Wolfspeed China pārdošanas un mārketinga viceprezidents Džans Sanlings. Par piemēru ņemot elektrisko transportlīdzekļu 22 kW OBC (iebūvēto lādētāju), silīcija karbīda ierīces var palīdzēt samazināt jaudas zudumus par 30 procentiem un saīsināt uzlādes laiku. un palielināt jaudas blīvumu par 50 procentiem.

Bosong ir iesaistījies silīcija karbīda ierīču izstrādē un pielietošanā gandrīz 20 gadus. Viņš norādīja, ka šī ir galvenā sastāvdaļa, kas nepieciešama jaunu enerģijas transportlīdzekļu borta uzlādes ierīcei. Pirms 2020. gada šādas ierīces bija pilnībā atkarīgas no importa. Tagad China Electric Power silīcija karbīda ierīces ir sasniegušas 1 miljonu vienību.

Bai Song teica: "Īpaši sākot no Pavasara festivāla 2021. gadā, vietējām ierīcēm ir iespēja konkurēt ar pazīstamām ārvalstu kompānijām uz vienas skatuves, panākot nulles izrāvienu."

Silīcija karbīds paātrina "iekāpšanu"

Pēdējos gados trešās paaudzes pusvadītāji ir kļuvuši populāri, un investīcijas, integrācija un ražošanas paplašināšana turpināsies arī 2022. gadā. Pašlaik silīcija karbīds un gallija nitrīds ir divi visplašāk izmantotie materiāli trešās paaudzes pusvadītājos, no kuriem silīcija karbīds. ir vairāk piemērots komerciālai lietošanai.

Pēc vairāk nekā desmit gadu ilgas izstrādes, ar globālo zemas karbonizācijas tendenci un jaunu enerģijas transportlīdzekļu pieaugumu, silīcija karbīds ir izmantojis jaunā Dongfeng priekšrocības, jo īpaši automobiļu jomā, paātrinot iekāpšanu.

Saskaņā ar TrendForce Consulting ziņojumu "2022. gada trešās paaudzes pusvadītāju enerģijas lietojumu tirgus ziņojums", jo arvien vairāk automašīnu uzņēmumu sāk ieviest SiC (silīcija karbīda) tehnoloģiju elektriskās piedziņas sistēmās, tiek lēsts, ka tiks izmantoti SiC jaudas komponenti transportlīdzekļiem. Tirgus apjoms sasniegs 1,07 miljardus ASV dolāru un līdz 2026. gadam pieaugs līdz 3,94 miljardiem ASV dolāru.

Saskaroties ar tādām tirgus iespējām kā elektriskie transportlīdzekļi, globālie ražotāji turpina paplašināt silīcija karbīda ražošanas jaudu un investēt pētniecībā un attīstībā.

Šī gada aprīlī Wolfspeed oficiāli atklāja savu pirmo 8-collu (200 mm) SiC rūpnīcu pasaulē. Papildus Wolfspeed šogad Infineon plāno tērēt vairāk nekā 2 miljardus eiro, lai uzbūvētu trešo rūpnīcu Kulimā, Malaizijā. Jaunā rūpnīca tiks izmantota silīcija karbīda un gallija nitrīda jaudas pusvadītāju izstrādājumu ražošanai. Tajā pašā laikā vairāk uzņēmumu ir guvuši sasniegumus 8-collu jomā. Piemēram, franču uzņēmums Soitec izlaida pirmo 8-collu silīcija karbīda plāksni, un China Electric Technology Materials Co., Ltd. izstrādāja 8-collu silīcija karbīda kristālu.

Pašlaik bezgalīgā plūsmā parādās arī vietējie silīcija karbīda projekti, un konkurence automobiļu jomā ir sīva. Papildus ārvalstu ražotājiem vietējās lielās automašīnu grupas, piemēram, SAIC, BAIC, GAC un Geely, palielina savus ieguldījumus vietējā silīcija karbīda rūpniecības ķēdē.

SiC vafeļu “kodola” izmaksas samazinās

Silīcija karbīda ierīču tirgus izaugsmes pamatā ir Ķīnas pusvadītāju uzņēmumu pilns ķēdes izkārtojums no materiāliem līdz aprīkojumam līdz mikroshēmām un ierīcēm pēdējā desmitgadē.

Ķīnas lielākajā silīcija karbīda materiālu rūpniecības bāzē ir sarindotas plānu silīcija karbīda vafeļu loksnes. Šīs vafeles ir mazākas par 0,5 mm biezas, un to diametrs ir no 2 collas, 4 collas līdz 8 collas. Tie ir uzlaboti trešās paaudzes pusvadītāju materiāli.

Vafeļu izmērs un kvalitāte tieši ietekmē pakārtoto SiC ierīču izmaksas un veiktspēju. Jo lielāks izmērs, jo zemākas izmaksas. Pirms desmit gadiem šis uzņēmums China Electronics Technology Co., Ltd. vēl bija 2-collu silīcija karbīda plātņu izstrādes stadijā. Tagad tas ir panācis liela mēroga 6-collu vafeļu ražošanu ar gada ražošanas jaudu 150,000 vafeļu, kas ieņem vadošo pozīciju Ķīnā. Šī gada martā uzņēmums arī uzņēmās vadību, izlaižot jaunas paaudzes 8-collu silīcija karbīda plāksnes.

Vejs Šengru, uzņēmuma Shanxi Shuoke Crystal Co., Ltd. izpilddirektora vietnieks, sacīja: "2009. gadā mēs esam izstrādājuši 2-collu silīcija karbīda substrātu (vafeles), kad mēs paplašinājām pamatnes (vafeles) izmērus. ) no 2 collām līdz 4 collām vienas mikroshēmas izmaksas var samazināt līdz 1/4 no oriģināla. Tagad līdz 8 collām, tas ir līdzvērtīgs izmaksu samazināšanai par 70 procentiem līdz 80 procentiem, pamatojoties uz 4 collām. Vafeles, silīcija karbīda kristālu audzēšanas iekārtas ir galvenais.Pirms desmit gadiem silīcija karbīda kristālu augšanas iekārtas, ko izstrādāja China Electronics Technology Co., Ltd., var ražot tikai maza izmēra kristālus, kuru izmērs ir 2 collas vai 4 collas, un procesa līmenis un ražošanas efektivitāte nav augsta. Pašlaik šīs Crystal izaugsmes un saistītās iekārtas rūpnieciskajā ķēdē ir pabeigušas vairākas iteratīvās jaunināšanas kārtas."

Paredzams, ka nozares mērogs sasniegs simtiem miljardu

Trešās paaudzes pusvadītājus, ko pārstāv silīcija karbīds, sauc par "zaļajiem" pusvadītājiem. Pēdējo desmit gadu laikā China Electric Power trešās paaudzes pusvadītāju ierīces ir pārveidojušās no pētniecības un izstrādes par komerciālu izmantošanu, un 200 miljoni produktu ir spēcīgi atbalstījuši jaunu infrastruktūru un "divkāršā oglekļa" stratēģiskās vajadzības.

Dati liecina, ka tā ierīču enerģijas ietaupījums ir 4 reizes lielāks nekā silīcija ierīcēm, kas var samazināt jaunu enerģijas transportlīdzekļu enerģijas patēriņu par 50 procentiem, UHV elektrotīklu zudumu par 60 procentiem un dzelzceļa tranzīta barošanas ierīču sistēmas zudumu. vairāk nekā 20 procenti.

Nacionālā trešās paaudzes pusvadītāju tehnoloģiju inovāciju centra direktors Džans Lučuans sacīja: "Trešās paaudzes pusvadītāji ir stratēģiski jauna nozare. No kopējās nozares ķēdes perspektīvas no iekārtām, materiāliem, mikroshēmām, ierīcēm līdz lietojumprogrammām, nākotnes nozares mērogs sasniegs vairākus 100 miljardus juaņu."

Rūpniecības un informācijas tehnoloģiju ministrija: Elektroniskās informācijas ražošanas nozares ieņēmumi desmit gadu laikā ir dubultojušies

20. septembrī Rūpniecības un informācijas tehnoloģiju ministrijā notika preses konference "Informācijas tehnoloģiju nozares jaunā paaudze enerģiski attīstīties".

Saskaņā ar Rūpniecības un informācijas tehnoloģiju ministrijas datiem no 2012. līdz 2021. gadam manas valsts elektroniskās informācijas ražošanas nozares pievienotās vērtības vidējais gada pieauguma temps sasniedza 11,6 procentus, bet pamatdarbības ienākumi pieauga no 7 triljoniem juaņu līdz 14,1 triljoniem. juaņa. Pamatdarbības ienākumu īpatsvars nozarē ir bijis nepārtraukts. Tas paliks pirmais deviņus gadus ar kopējo peļņu 828,3 miljardu juaņu apmērā 2021. gadā.

Rūpniecības un informācijas tehnoloģiju ministrijas Elektroniskās informācijas departamenta direktora vietnieks Sju Veņli sacīja, ka Rūpniecības un informācijas tehnoloģiju ministrija koncentrēsies uz to, lai izmantotu iespējas turpmākai rūpniecības attīstībai, paātrinātu vadošo un vadošo nozaru attīstību un veicinātu jaunas paaudzes audiovizuālo tehnoloģiju un virtuālās realitātes nozaru attīstība. Vispārējā skaitļošanas, uzglabāšanas, displeja un citu rūpniecisko ķēžu jaunināšana.

Tsinghua universitātes profesors un Ķīnas pusvadītāju rūpniecības asociācijas vicepriekšsēdētājs Vejs Šaojuns intervijā laikrakstam 21st Century Business Herald norādīja, ka Ķīnas integrētās shēmas izstrādājumi veidoja mazāk nekā 5 procentus no pasaules 2004. gadā līdz 12,5 procentiem 2021. gadā. , un arī progress ir ļoti acīmredzams. Lai gan tas galvenokārt ir zemās klases, ir izveidota salīdzinoši pilnīga produktu sistēma, īpaši pēc 2019. gada ir ievērojami palielinājies vietējo augstākās klases mikroshēmu īpatsvars